有消息稱，SK海力士(SK Hynix)為了加強(qiáng)CMOS影像傳感器(CIS)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，從基礎(chǔ)設(shè)計(jì)開始調(diào)整，其中一項(xiàng)是采用立體(3D)堆疊結(jié)構(gòu)，借此改善影像畫質(zhì)。
SK海力士準(zhǔn)備將3D NAND Flash存儲(chǔ)器的垂直通道薄膜復(fù)晶矽(Vertical Thin Poly-Si Channel；VTPC)電晶體閘極技術(shù)，用于新一代CIS上。該技術(shù)可改善背照式(Backside Illumination)CIS的暗電流(Dark Current)問題，并且提高像素密度。
由于暗電流問題在體積偏小的智能手機(jī)等移動(dòng)裝置上較難改善，智能手機(jī)的相機(jī)像素一直局限在1600萬左右。業(yè)界積極開發(fā)以相位差對(duì)焦(Phase Detection AF)或直通硅穿孔(Through Silicon Via)方式，將影像信號(hào)處理(ISP)與CIS整合在一起的堆疊技術(shù)。
背照式CIS比前照式(Frontside illumination)CIS的光線損失較少，但光線經(jīng)過彩色濾光片往光電二極體(Photodiode)移動(dòng)時(shí)，周圍像素會(huì)發(fā)生漏光的干涉現(xiàn)象。為此，三星電子(Samsung Electronics)的ISOCELL CIS采用隔離鄰近像素的前側(cè)深槽隔離(Frontside-Deep Trench Isolation)，讓像素與像素之間有0.2微米距離加以解決。
SK海力士開發(fā)的新一代CIS將重點(diǎn)放在立體像素結(jié)構(gòu)，讓閘極成垂直排列，彌補(bǔ)因光電二極體面積縮小，連帶使光線量也減少的缺點(diǎn)。
SK海力士把用在3D NAND Flash的VTPC電晶體閘極技術(shù)，針對(duì)CIS做最適化調(diào)整，使相同版型有更高像素密度，借此提高影像解析度，目前正在1.12微米背照式CIS進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試。
另一方面，SK海力士準(zhǔn)備在2017年底前完成相位差對(duì)焦技術(shù)研發(fā)，交由利川M10工廠量產(chǎn)1,300萬像素CIS。M10工廠將使用12吋晶圓，與清州M8工廠8吋晶圓生產(chǎn)的一般CIS聯(lián)合搶占市場(chǎng)。
01月07日 18:14
