基本上，功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件(Power Discrete)與功率積體電路 (Power IC)二大類(lèi)，其中，功率離散元件產(chǎn)品包括MOSFET、二極管，及IGBT，當(dāng)中又以MOSFET與IGBT最為重要。

英飛凌、安森美、瑞薩、意法半導(dǎo)體等海外廠商在MOSFET領(lǐng)域占據(jù)較大市場(chǎng)份額，但是就中低壓類(lèi)型的MOSFET而言，國(guó)產(chǎn)廠商與海外廠商技術(shù)實(shí)力接近，競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)不小。

潮電智庫(kù)此前發(fā)布了2024年全球儲(chǔ)能逆變器IGBT廠商TOP10，在行業(yè)中廣為流傳，獲得一致稱(chēng)贊，至此潮電智庫(kù)經(jīng)過(guò)走訪調(diào)研制造出2024年全球儲(chǔ)能逆變器MOSFET廠商TOP10。也由于優(yōu)秀企業(yè)過(guò)多，歡迎未上榜企業(yè)聯(lián)系潮電智庫(kù)數(shù)據(jù)研究部門(mén)。

MOSFET是電池管理系統(tǒng)（BMS）使用的器件之一，通常一個(gè)BMS模塊中使用多顆MOSFET，BMS被看作是電池組的守護(hù)者，負(fù)責(zé)監(jiān)測(cè)電池狀態(tài)、均衡充電、保護(hù)電池免受損害。

在智能化浪潮下，BMS通過(guò)精確的算法預(yù)測(cè)電池健康狀況，還能根據(jù)實(shí)時(shí)工況動(dòng)態(tài)調(diào)整充放電策略，最大化能量利用效率。這一轉(zhuǎn)變要求BMS具備更高的計(jì)算能力和更精細(xì)的數(shù)據(jù)處理能力，同時(shí)對(duì)功率器件提出了更高要求。

MOSFET作為一種功率器件，其性能直接影響B(tài)MS效率與響應(yīng)速度。新一代MOSFET采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料技術(shù)，不僅開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低，還具有更高的工作溫度閾值，使BMS能夠在更寬的工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效能的電能管理，減少熱損耗、提升系統(tǒng)整體續(xù)航能力。